《软印刷法便捷制备非晶Zn-Sn-O场效应晶体管》

技术简介：

在柔性透明电子学领域，非晶氧化物半导体是场效应晶体管的关键材料。采用了一种简单、低成本的方法，即软印刷技术制备高性能的锌锡氧化物Zn-Sn-O(ZTO)底栅型场效应晶体管（FETs）。利用自组装单分子膜（SAM）进行微接触印刷，制备了铟锡氧化物（ITO）源漏电极和ZTO晶体管沟道材料。柔性聚合物印章被用于SAMs的图形转移，然后在氧化物湿蚀刻期间用作化学保护层。光学显微镜和电子显微镜中可以清晰地看见良好的图形转移，其分辨率高，台阶轮廓清晰。电学测量显示制备的底栅型ZTO晶体管有着极低的漏电流（

研发人员：杜晓松;沈秋华;