《时效状态及Cu含量对Al-Cu合金晶间腐蚀敏感性的影响》

技术简介：

采用硬度、加速腐蚀、电化学测试以及扫描和透射电镜分析，研究Al-xCu合金（x=0.54、1.05、2.10、3.60、4.50,wt%）不同时效态的晶间腐蚀（IGC）敏感性。结果表明，随着时效时间延长，低Cu合金始终具有IGC敏感性，且腐蚀程度逐渐加重；高Cu合金首先发生IGC，并在过时效阶段转为稳态点蚀。微观组织及电化学分析表明，低Cu合金的IGC源于晶界富Cu层与无析出区（PFZs）形成腐蚀微电池，且腐蚀程度加重与富Cu层中偏聚程度增大有关；高Cu合金的IGC源于基体及晶界析出相与PFZs形成腐蚀微电池，但时效过程中晶界析出相由连续分布逐渐转变为断续分布，决定了合金腐蚀行为由IGC向稳态点蚀转变。此外，高Cu合金在过时效阶段发生的稳态点蚀还与含Cu结晶相及基体成分有关。

研发人员：李海;周洋;王芝秀;