《利用碳纳米管薄膜作掩模版光罩的制备方法》

技术简介：

本发明涉及半导体加工技术领域,尤其涉及一种利用碳纳米管薄膜作掩模版光罩的制备方法。主要包括SiN支撑层的制备和在支撑层上生长碳纳米管薄膜。具体包括如下步骤：在基底两侧沉积SiN和SiO-2,在SiN上涂覆光刻胶,在光刻胶上进行图案化曝光、显影、刻蚀和去胶,再经刻蚀去除表面SiO-2后得到图案化的SiN支撑层,在支撑层上沉积一层碳纳米管薄膜,进一步将支撑层和基底进行刻蚀去除后,得到图案化的碳纳米管掩模版光罩。涉及的掩模版光罩具有高的透光率高,良好的化学稳定性和热稳定性,成本低的特点。

研发人员：弓晓晶;许敬