《一种P-TOPCon光伏太阳能电池结构的制备方法》

技术简介：

本发明公开了一种P型晶体硅TOPCon电池结构的制备方法,该电池结构为电池结构为正面结构为Ag栅线+SiNx层+N～+层+局部SiO-x+Poly层,背面结构为Al层+SiNx层+Al-2O-3层+P～+。另外,电池的制备方法为双面制绒→单面氧化→单面微晶硅→磷掺杂&退火→正面掩膜→去除非掩膜区域→清洗→单面N+磷扩散→去除掩膜区域形成SiOx+Poly层→钝化→激光开槽→丝网印刷+烧结。本发发明公开的一种新型P-TOPCon电池制备方法——即PERC前表面场进行多晶硅掺杂的选择性发射极工艺,可有效提升开路电压VOC,并减低Rs,提升FF,选择性的多晶硅掺杂工艺可有效降低ISC的损失,进而提升了效率。

研发人员：吴王平;张屹;王翔;丁建宁;袁宁一