《一种由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜及其制备方法》

技术简介：

本发明涉及太阳电池制造技术领域,尤其是一种由基底调控的高取向性二维杂化钙钛矿薄膜及其制备方法。其中钙钛矿薄膜是以高结晶度、竖直生长、多孔性二维氧化锡纳米片薄膜作为基底而制得的具有高取向性、厚度为400-450nm的二维片状薄膜,其制备方法主要包括如下步骤：首先,清洗导电玻璃衬底,然后吹干；将导电玻璃衬底放入SnCl-2的水溶液中反应,清洗吹干后得到SnO-2纳米薄膜,然后通过两步法将钙钛矿薄膜沉积在SnO-2纳米片薄膜上。本发明有机-无机杂化钙钛矿薄膜结晶度高,受氧化钛基底形貌的限域影响其结晶具有垂直生长特性,具有高稳定性。

研发人员：袁宁一;蒋君;丁建宁