技术简介：
本发明涉及一种分子印迹过氧化聚吡咯/聚对氨基苯磺酸修饰电极的制备方法,包括以下步骤：制备聚对氨基苯磺酸修饰电极、制备分子印迹过氧化聚吡咯/聚对氨基苯磺酸修饰电极。本发明的有益效果：分子印迹过氧化聚吡咯/聚对氨基苯磺酸修饰电极的制备过程简单环保无污染。此外,聚对氨基苯磺酸的引入可增加与色氨酸三维空间匹配的空腔数量,从而得到的分子印迹材料对于色氨酸对映体的识别效率显著提升。
研发人员：孔泳;张洁;顾嘉卫