技术简介：
本发明涉及一种树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极的制备方法,包括以下步骤：制备包埋有非离子表面活性剂C20聚氧乙烯醚和L-色氨酸的二氧化硅修饰氧化铟锡电极、制备树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极。本发明的有益效果：树杈状分子印迹二氧化硅修饰氧化铟锡电极的制备方法廉价、环保、简单。
研发人员：孔泳;张洁;顾嘉卫