《一种提高Sb_2Se_3薄膜晶粒柱状生长趋势的方法》

技术简介：

本发明属于薄膜太阳能电池制备技术领域,具体涉及一种提高Sb2Se3薄膜晶粒柱状生长趋势的方法,该方法将水浴法得到的CdS薄膜通过氧等离子处理,从而诱导Sb2Se3薄膜的柱状生长。其具体的制备方法是先利用水浴法在FTO基底上沉积一层CdS薄膜,然后将得到的CdS薄膜利用氧等离子处理,最后采用RTE的方法快速沉积一层Sb2Se3薄膜,氧等离子处理CdS薄膜之后,Sb2Se3薄膜呈柱状生长,从而使硒化锑薄膜电池的效率大幅提升,这对于硒化锑薄膜电池的发展有一定的科学价值及促进作用。

研发人员：袁宁一;王鑫;丁建宁;郭华飞