《一种新型多晶硅掺杂P扩散制备工艺方法》

技术简介：

本发明公开了一种新型多晶硅掺杂P扩散制备工艺方法,该扩散工艺制备方法为1)进炉；2)抽真空；3)检漏；4)恒温稳定；5)低温气体反应淀积；6)升温杂质再分布；7)高温推进；8)降温氧化；9)释放真空；10)出炉；11)清洗。本发明采用低温长时间沉积、高温长时间推结、降温氧化的方式,获得>1e20的恒定表面浓度且在遂穿氧化层处出现陡降拐点的ECV曲线,其>1e20的恒定表面浓度可有效减低Rs,提升FF,陡降的拐点表明遂穿氧化层未被击穿可具有较优的钝化性能进而提升开路电压VOC,进而提升电池效率。

研发人员：吴王平;张屹;王翔;袁宁一;丁建宁