《一种黑硅微纳结构宽范围调控的连续制造设备及方法》

技术简介：

本发明涉及一种黑硅微纳结构宽范围调控的连续制造设备及方法,具有真空的反应腔室,横贯反应腔室设有传送硅片的传送带,所述传送带上方下设有上金属板,传送带下方设有与上金属板平行的下金属板,上金属板、下金属板上均布满有小孔,上金属板与下金属板之间形成有交变电场,上金属板与传送带之间设有可上下升降而调节水平方向气流浓度梯度的陶瓷挡板,反应腔室上表面连接有通入反应气体的进气系统,反应腔室底面连接有抽气系统。本发明通过在反应腔室内形成不同气体梯度分布的气场结构,结合不同反应气体组合,沿硅片水平运动方向,以各向同性快刻蚀为主,向各向异性慢刻蚀为主逐渐变化,从而实现黑硅连续制造的微纳结构宽范围调控。

研发人员：丁建宁;袁宁一