《基于并二噻吩桥联聚吡咯薄膜的微型超级电容器》

技术简介：

将富电子的并二噻吩单元作为吡咯单体的桥联基团,得到具有四臂活性位点的吡咯单体;再利用液液界面的氧化聚合反应,直接制备得到连续、大面积的超薄聚吡咯膜。通过直接激光刻蚀的方法,制备了微型超级电容器,并研究了其通过循环伏安曲线、阻抗测试、相位角测试等表征电容器的电化学性能。结果表明,基于该薄膜的微型超级电容器的面积比电容可达1.10 mF/cm~2,体积比电容可达68.4 F/cm~3,等效串联电阻为4.2Ω,最大能量密度为9.50 mW·h/cm~3,最大功率密度为1 433 W/cm~3。

研发人员：侯鹏鑫;姜恺悦;翟光群;庄小东;