《填充材料及制备方法、高延展性低轮廓电解铜箔制造方法》

技术简介：

本发明属于添加剂分解产物去除技术领域,具体涉及一种填充材料及制备方法、高延展性低轮廓电解铜箔制造方法。本填充材料包括：ZrCl-4：2.5g；印迹分子：0.25-25g；DMF：568.8g；BDC：1g；PC：1.25-25g。本填充材料的制备方法包括：ZrCl-4和印迹分子于容器中形成反应物；反应物中加入DMF超声溶解形成反应溶液；反应溶液中加入BDC超声溶解；PC浸渍于反应溶液中搅拌；通过水热法处理反应溶液去除添加剂分解产物分子,制备印迹有添加剂分解产物分子铸型结构的填充材料。本发明可有效对添加剂分解产物选择性吸附,达到有效去除添加剂分解产物、使铜的电沉积薄膜中不混入分解产物、实现电流在阴极和阳极上均匀分布、提高电解铜箔品质以及制备高延展性低轮廓电解铜箔的效果。

研发人员：陈智栋;卜李银;王文昌;吴敏贤;明小强;王朋举