《一种基于激光制作沟槽MOSFET的方法与装置》

技术简介：

一种基于激光制作沟槽MOSFET的方法与装置,属于半导体领域。本发明解决了在半导体衬底上形成外延层表面后,采用三组激光制备沟槽和方形坑的问题,采用-x方向、-y方向激光,其出射口位于凸透镜的焦点处,通过凸透镜后以平行光射向铅光阑照射到外延层表面,形成相互垂直系列等间距的沟槽,这些沟槽之间形成二维方阵凸起；采用-z方向激光通过凸透镜和铅模板,对这些凸起照射形成二维阵列方形坑；对方形坑注入另一种导电型半导体,利用刻蚀方法对沟槽中沉积的多晶硅与在外延层侧面的氧化物,形成控制栅电极和屏蔽栅电极,最后在外延层表面形成金属源极,在半导体衬底表面形成金属漏极。

研发人员：江兴方;阮志强;江鸿