《一种基于CdS/SnO_2混合N型层的高效Sb_2Se_3薄膜电池及其制备方法》

技术简介：

本发明属于太阳电池制备领域,具体涉及一种基于CdS/SnO_2混合N型层的高效Sb_2Se_3薄膜电池及其制备方法,本发明的基于CdS/SnO_2混合N型层的高效Sb_2Se_3薄膜电池是通过使用CdS/SnO_2混合N型层来代替单一的SnO_2缓冲层,通过对比两者的Sb_2Se_3的XRD图谱可以明显的发现,使用SnO_2作为N型层时,(120)是Sb_2Se_3的择优取向,而使用混合N型层可以使Sb_2Se_3的(120)晶面的取向降到最低,并使(221)成为择优取向,更加有利于电子的传输,并且由于CdS薄膜的存在不仅可以诱导Sb_2Se_3薄膜的柱状生长,还可以提高其结晶性从而提高其电池效率。

研发人员：丁建宁;陈志文;袁宁一;郭华飞