《一种基于PECVD技术的高效低成本N型TOPCon电池的制备方法》

技术简介：

本发明涉及一种基于PECVD技术的高效低成本N型TOPCon电池的制备方法,包括(1)裸硅片去损伤并进行表面形貌处理；(2)采用板式PECVD沉积隧穿氧化层、本征多晶硅层和原位掺杂非晶硅层,隧穿氧化层的厚度为1-2nm,本征多晶硅层厚度为10-60nm,原位掺杂非晶硅层厚度在20-80nm,其中掺杂原子的掺杂浓度在2E20 cm～(-3)-8E20cm～(-3)等步骤。本发明制备工艺基于PECVD技术,采用先制备背面的隧穿氧化层叠加掺杂多晶硅层,然后通过后续硼扩高温工艺实现晶化,再制备正面PN结,然后再钝化、印刷电极,采用此工艺流程,首先整体工艺步骤减少一步,此工艺流程可以省略绕度清洗步骤,节省了制备成本。

研发人员：丁建宁;李绿洲;叶枫;袁宁一;李云鹏;上官泉元;王书博;程广贵