《一种连续制备大面积纳米绒面的反应离子刻蚀装置及其方法》

技术简介：

本发明涉及一种连续制备大面积纳米绒面的反应离子刻蚀方法,包括S1：将预制绒的硅片进行清洗和预处理；S2：将去除损伤后的硅片放至装载台的载板后,依次通过装载腔和工艺缓冲腔进入工艺腔；S3：打开抽真空设备,SF-6、O-2和SiCl-4刻蚀气体从线性离子源布气孔均匀的进入工艺腔；S4：打开射频电源和磁场装置,刻蚀气体电离产生等离子体；高能离子在电场作用下垂直地射向样品表面,进行物理轰击,完成硅片在工艺腔内的刻蚀；S5：硅片随着载板从工艺腔依次经过卸载缓冲腔和卸载腔,最后至卸载台被取出。本发明将多个大尺寸线性离子源组合在一起,实现大面积均匀刻蚀。通过装载腔、卸载腔和输送机构的协同作用可以实现硅片的连续动态刻蚀,大大提高了RIE产能。

研发人员：丁建宁;孙涛;李绿洲;上官泉元