《一种去除Poly绕镀清洗方法》

技术简介：

本发明公开了一种新型去除poly绕镀的清洗方法,该清洗方法中从上料到下料工艺步骤都在链式机台上进行操作,且尤其涉及清洗工艺步骤正面刻蚀采用HF/HNO_3药液低温刻蚀,温度10-20℃,HF/HNO_3/H_2O体积比1:10:13—1:12:15；通过HNO_3在硅片表面生成氧化层,再使用HF将绕镀区域去除；碱洗采用KOH/H_2O药液质量配比1:15—1:20；酸洗首先采用O_3/HF/HCl,其中O_3浓度15-30ppm,HF/HCl体积比1:1—2:5；酸洗第2步工艺采用HF/HCl药液,最后清洁脱水烘干处理。本发明采用清洗工艺,进而降低设备成本的投入,提高产能及良率。

研发人员：吴王平;张屹;张伟;丁建宁;袁宁一